高纯铬靶的目标晶粒尺寸和分布：通常，目标材料具有多晶结构，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的数量级上。 对于相同组成的靶材，细颗粒靶材的溅射速率比粗颗粒高纯铬靶的溅射速率快，而晶粒尺寸较小的靶材具有更均匀的沉积膜厚度分布。 通过真空熔融法制造的靶材可以确保块内没有孔，但是通过粉末冶金法制造的高纯铬靶很可能包含一定数量的孔。 孔的存在会在溅射过程中引起异常放电，从而产生杂质颗粒。 此外，由于其密度低，在操作，运输，安装和操作过程中，带有孔的目标很容易破碎。

目标处理流程：集成电路制造用溅射靶的加工工艺主要包括熔炼，均质化，压力加工，机械加工等工艺。 在严格控制靶材纯度的基础上，铬靶、铌靶、钛铝靶通过优化压力处理工艺，热处理条件和机械加工条件，调整靶材的晶粒取向和晶粒尺寸，满足溅射工艺要求。

高纯铬靶的目标杂质控制：如果靶中的夹杂物数量过多，则在溅射过程中可能在晶片上形成颗粒，从而导致互连线短路或断开，这将严重影响膜的性能。高纯铬靶中的大多数夹杂物是在冶炼和铸造过程中形成的，主要由氧化物组成，但也包括氮化物，碳化物，氢化物，硫化物，硅化物等，因此应在冶炼和铸造过程中使用。坩埚，内部 流道，铸模等由还原性材料制成，在浇铸之前，应将熔体表面的氧化物和其他炉渣彻底清除。 通常，它们在真空或无氧环境中熔融并浇铸。铬靶批发、铬靶价格在市场也是不一样的。