高纯铬靶的目标晶粒尺寸和分布：通常，靶材材料具有多晶结构，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的数量级上。 对于相同组成的靶材，细粒靶材的溅射速率比粗粒高纯度铬靶材的溅射速率快，而晶粒尺寸较小的靶材具有更均匀的沉积膜厚度分布。

通过真空熔融法制造的靶材可以确保块中没有孔，但是通过粉末冶金法制造的高纯铬靶可能包含一定数量的孔。 孔的存在会在溅射过程中引起异常放电，从而导致杂质颗粒。 另外，由于其密度低，带孔的目标在操作，运输，安装和操作过程中很容易破碎。

铬靶厂家告诉你，铬靶靶材的加工工艺：用于集成电路制造的溅射靶材的加工技术主要包括熔炼，均质化，压力加工和机械加工。 在严格控制靶材纯度的基础上，铬靶材，铌靶材和钛铝靶材可以通过优化压力处理工艺，热处理条件和机械加工条件来调节靶材的晶粒取向和晶粒尺寸。
高纯铬靶的靶材杂质控制：如果靶材中的夹杂物过多，则在溅射过程中晶圆上可能会形成颗粒，导致互连短路或断开，严重影响性能。 高纯铬靶中的大多数夹杂物是在冶炼和铸造过程中形成的，主要由氧化物组成，但也包括氮化物，碳化物，氢化物，硫化物，硅化物等，因此应在铸造过程中使用 。高纯铬靶铸造前，应将熔体表面的氧化物和其他炉渣清除。 通常，它们在真空或无氧环境中熔融并浇铸。 市场上铬靶价格也有所不同。